“央广网上海4月18日消息（记者沈梅）“在一眨眼的时间内，超级闪存已经工作了10亿次，原来的U盘只能工作1000次。相当于光在走了12厘米的时间内，几千个电子已经储存完毕。”近日，复旦大学周鹏、刘春森团队成功研制“破晓（PoX）”皮秒闪存器件，擦写速度达到亚1纳秒（400皮秒），是人类目前掌握的最快半导体电荷存储器件。
北京时间4月16日，相关研究成果以《亚纳秒超注入闪存》（“Sub-nanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot carrier injection”）为题发表于国际顶尖期刊《自然》（Nature）。破晓（PoX）”实现了存储、计算速度相当，在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。在该技术基础上，未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念，无需分层存储，还能实现AI大模型的本地部署。作为智能时代的数字基石，存储技术的性能突破不仅将驱动应用场景的颠覆性升级，更将构筑我国在人工智能、云计算、通信工程等战略领域技术领跑的核心支撑。

遥遥领先

**领先那可是你说的。中国的半导体每天向前一小步。

不会又是骗补吧？

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